maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOSA106M008R2200V
Référence fabricant | NOSA106M008R2200V |
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Numéro de pièce future | FT-NOSA106M008R2200V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOS |
NOSA106M008R2200V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 10µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 8V |
ESR (résistance série équivalente) | 2.2 Ohms |
Courant - Fuite | 1.6µA |
Facteur de dissipation | 10% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1206 (3216 Metric) |
Code de taille du fabricant | A |
Hauteur - assis (max) | 0.071" (1.80mm) |
Caractéristiques | Low ESR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Package d'appareils du fournisseur | 1206 (3216 Metric) |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSA106M008R2200V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOSA106M008R2200V-FT |
NOJD477M002RWJ
AVX Corporation
NOJD477M002SWJ
AVX Corporation
NOJD477M004RWJ
AVX Corporation
NOJX107M004RWJ
AVX Corporation
NOJX157M002RWJ
AVX Corporation
NOJX227M001RWJ
AVX Corporation
NOJX686M006RWJ
AVX Corporation
NOJY107M006RWJ
AVX Corporation
NOJY157M004RWJ
AVX Corporation
NOJY157M006RWJ
AVX Corporation
XC3S50-4VQ100C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C6F256C8N
Intel
5SGXEA5H3F35C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2L
Intel
XC6VHX380T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-2CSG225Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP2SGX30CF780C5
Intel