maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOJB226M006RWJ
Référence fabricant | NOJB226M006RWJ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NOJB226M006RWJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOJ |
NOJB226M006RWJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 22µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 6.3V |
ESR (résistance série équivalente) | 1.9 Ohms |
Courant - Fuite | 2.6µA |
Facteur de dissipation | 6% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1411 (3528 Metric), 1210 |
Code de taille du fabricant | B |
Hauteur - assis (max) | 0.083" (2.10mm) |
Caractéristiques | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 (3528 Metric) |
Taille / Dimension | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOJB226M006RWJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOJB226M006RWJ-FT |
NOSC686M006R0200
AVX Corporation
NOSC227M001R0150
AVX Corporation
NOSD107M006R0100
AVX Corporation
NOSD227M006R0045
AVX Corporation
NOJE227M006RWJ
AVX Corporation
NOJD107M010RWJ
AVX Corporation
NOJD107M006RWJ
AVX Corporation
NOJY227M006RWJ
AVX Corporation
NOJD157M006RWJ
AVX Corporation
NOSD157M006R0070
AVX Corporation
LCMXO2-640HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-L1FBG676I
Xilinx Inc.
XC4010E-2BG225C
Xilinx Inc.
XA3S500E-4PQG208Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8N
Intel
EP3C16U484C8N
Intel
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation