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NMSD200B01-7 Image

Diodes Incorporated NMSD200B01-7

Numéro de pièce MFG
NMSD200B01-7
quantité disponible
21140 Pièces
Prix de référence
USD 0.08352
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NMSD200B01-7.pdf
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NMSD200B01-7 Caractéristiques

Référence fabricant NMSD200B01-7
Numéro de pièce future FT-NMSD200B01-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NMSD200B01-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-363
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NMSD200B01-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NMSD200B01-7-FT

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