maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / NM27C010Q150
Référence fabricant | NM27C010Q150 |
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Numéro de pièce future | FT-NM27C010Q150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NM27C010Q150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - UV |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window |
Package d'appareils du fournisseur | 32-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C010Q150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NM27C010Q150-FT |
N25Q128A13EF740E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8C0E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8C0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EW7DFE
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation