maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / NM24C09N
Référence fabricant | NM24C09N |
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Numéro de pièce future | FT-NM24C09N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NM24C09N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | 100kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ms |
Temps d'accès | 3.5µs |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM24C09N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NM24C09N-FT |
N25Q128A13E1440F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13E1441E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13E1441F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF740E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8C0E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13EF8C0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
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Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel