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Référence fabricant | NLV32T-R10J-EFD |
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Numéro de pièce future | FT-NLV32T-R10J-EFD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NLV-EFD |
NLV32T-R10J-EFD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 100nH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 450mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 440 mOhm Max |
Q @ Freq | 28 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 700MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.094" (2.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NLV32T-R10J-EFD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NLV32T-R10J-EFD-FT |
NLV32T-680J-PF
TDK Corporation
NLV32T-R10J-EF
TDK Corporation
NLV32T-151J-PF
TDK Corporation
NLV32T-330J-EF
TDK Corporation
NLV32T-8R2J-EF
TDK Corporation
NLV32T-R15J-PF
TDK Corporation
NLV32T-101J-EF
TDK Corporation
NLV32T-151J-EFD
TDK Corporation
NLV32T-180J-EFD
TDK Corporation
NLV32T-1R5J-EF
TDK Corporation
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel