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Référence fabricant | NLCV32T-6R8M-EF |
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Numéro de pièce future | FT-NLCV32T-6R8M-EF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NLCV-EF |
NLCV32T-6R8M-EF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 530mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 351 mOhm Max |
Q @ Freq | 15 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 38MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.094" (2.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NLCV32T-6R8M-EF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NLCV32T-6R8M-EF-FT |
SLF10165T-220M2R43PF
TDK Corporation
SLF10165T-3R3N5R83PF
TDK Corporation
SLF10165T-100M3R8-3PF
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SLF10165T-3R3N5R8-3PF
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SLF10165T-6R8N4R3-3PF
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
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XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
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AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
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5SGXEABK1H40C2N
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LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel