maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / NJVMJD50T4G
Référence fabricant | NJVMJD50T4G |
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Numéro de pièce future | FT-NJVMJD50T4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NJVMJD50T4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 200µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Puissance - Max | 1.56W |
Fréquence - Transition | 10MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD50T4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NJVMJD50T4G-FT |
2SA1576ART1
ON Semiconductor
2SA1576ART1G
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2SC4081RT1
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BC848BWT1
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BC857BWT1
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XA7A100T-1FGG484I
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A3PE600-1FG484I
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EP4CE10F17C8LN
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5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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