maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / NJVMJD112T4G
Référence fabricant | NJVMJD112T4G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NJVMJD112T4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NJVMJD112T4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 20µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Puissance - Max | 20W |
Fréquence - Transition | 25MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD112T4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NJVMJD112T4G-FT |
SBC847CWT1G
ON Semiconductor
SMMBT3906WT1G
ON Semiconductor
BC846BWT1G
ON Semiconductor
SMMBTA06WT1G
ON Semiconductor
BC807-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC857CWT1G
ON Semiconductor
SMMBTA56WT1G
ON Semiconductor
BC847BWT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1G
ON Semiconductor
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel