maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / NJVMJD112T4G
Référence fabricant | NJVMJD112T4G |
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Numéro de pièce future | FT-NJVMJD112T4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NJVMJD112T4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 20µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Puissance - Max | 20W |
Fréquence - Transition | 25MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD112T4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NJVMJD112T4G-FT |
SBC847CWT1G
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SMMBT3906WT1G
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A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
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EP1S40F780I6
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