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ON Semiconductor NGTD30T120F2WP
- Numéro de pièce MFG
- NGTD30T120F2WP
- quantité disponible
- 62760 Pièces
- Prix de référence
- USD 3.590984
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Simples
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NGTD30T120F2WP.pdf
NGTD30T120F2WP Caractéristiques
| Référence fabricant | NGTD30T120F2WP |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NGTD30T120F2WP |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| NGTD30T120F2WP Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type IGBT | Trench Field Stop |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
| Courant - collecteur pulsé (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Puissance - Max | - |
| Énergie de commutation | - |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de la porte | - |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
| Condition de test | - |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | Die |
| Package d'appareils du fournisseur | Die |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NGTD30T120F2WP Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NGTD30T120F2WP-FT |
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