maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / NGTD13T65F2WP
Référence fabricant | NGTD13T65F2WP |
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Numéro de pièce future | FT-NGTD13T65F2WP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NGTD13T65F2WP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
Puissance - Max | - |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | - |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD13T65F2WP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NGTD13T65F2WP-FT |
IGW40N65F5FKSA1
Infineon Technologies
IHW30N135R3FKSA1
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LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
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5SGSMD8N3F45I3N
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XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
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A42MX16-FPQG160
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A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
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