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ON Semiconductor NGTB50N120FL2WG

Numéro de pièce MFG
NGTB50N120FL2WG
quantité disponible
91900 Pièces
Prix de référence
USD 7.84
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 1200V 100A 535W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NGTB50N120FL2WG.pdf
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NGTB50N120FL2WG Caractéristiques

Référence fabricant NGTB50N120FL2WG
Numéro de pièce future FT-NGTB50N120FL2WG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NGTB50N120FL2WG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Puissance - Max 535W
Énergie de commutation 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 311nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 118ns/282ns
Condition de test 600V, 50A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 256ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur TO-247
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NGTB50N120FL2WG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NGTB50N120FL2WG-FT

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