maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / NGTB35N65FL2WG
Référence fabricant | NGTB35N65FL2WG |
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Numéro de pièce future | FT-NGTB35N65FL2WG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NGTB35N65FL2WG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
Puissance - Max | 300W |
Énergie de commutation | 840µJ (on), 280µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 125nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 72ns/132ns |
Condition de test | 400V, 35A, 10 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 68ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB35N65FL2WG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NGTB35N65FL2WG-FT |
RJH60F0DPK-00#T0
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RJP60D0DPK-00#T0
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
XC3S1000L-4FGG456C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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