maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / NGTB30N60L2WG
Référence fabricant | NGTB30N60L2WG |
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Numéro de pièce future | FT-NGTB30N60L2WG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NGTB30N60L2WG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 60A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 30A |
Puissance - Max | 225W |
Énergie de commutation | 310µJ (on), 1.14mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 166nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 100ns/390ns |
Condition de test | 300V, 30A, 30 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 70ns |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB30N60L2WG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NGTB30N60L2WG-FT |
RJH1CV5DPK-00#T0
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RJH60D0DPK-00#T0
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RJH60D5DPK-00#T0
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RJH60D6DPK-00#T0
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RJH60F3DPK-00#T0
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RJH60F4DPK-00#T0
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RJH60F5DPK-00#T0
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RJH60F7ADPK-00#T0
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RJH60D1DPP-E0#T2
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RJH60A83RDPN-E0#T2
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LCMXO2-2000HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-5CS484C
Xilinx Inc.
XC2VP20-5FGG676C
Xilinx Inc.
MPF300TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
EP2C50F672C7
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel
EP1S40F780C6N
Intel