maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NESG2107M33-T3-A
Référence fabricant | NESG2107M33-T3-A |
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Numéro de pièce future | FT-NESG2107M33-T3-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NESG2107M33-T3-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 5V |
Fréquence - Transition | 10GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
Gain | 7dB ~ 10dB |
Puissance - Max | 130mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 5mA, 1V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | 3-SuperMiniMold (M33) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NESG2107M33-T3-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NESG2107M33-T3-A-FT |
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
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MS2207
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MS2210A
Microsemi Corporation
MS2211
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MS2212
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MS2213
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A54SX32A-1TQ144M
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XC3S4000-5FGG900C
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M1A3PE1500-2PQ208
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XA6SLX16-3CSG324Q
Xilinx Inc.
A3P250-1FGG144
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A54SX08A-FFGG144
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LFE2M35SE-5F484C
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