maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NESG2107M33-A
Référence fabricant | NESG2107M33-A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NESG2107M33-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NESG2107M33-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 5V |
Fréquence - Transition | 10GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
Gain | 7dB ~ 10dB |
Puissance - Max | 130mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 5mA, 1V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | 3-SuperMiniMold (M33) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NESG2107M33-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NESG2107M33-A-FT |
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
Microsemi Corporation
MS2206
Microsemi Corporation
MS2206A
Microsemi Corporation
MS2207
Microsemi Corporation
MS2210A
Microsemi Corporation
MS2211
Microsemi Corporation
MS2212
Microsemi Corporation
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel