maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE85639R-T1
Référence fabricant | NE85639R-T1 |
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Numéro de pièce future | FT-NE85639R-T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE85639R-T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 9GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz |
Gain | 13.5dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-143R |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143R |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639R-T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE85639R-T1-FT |
BFS17,215
NXP USA Inc.
BFS17,235
NXP USA Inc.
BFS17A,215
NXP USA Inc.
BFS17A,235
NXP USA Inc.
BFT92,215
NXP USA Inc.
BFT93,215
NXP USA Inc.
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
LFE2-12E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17I8L
Intel
EP4SGX360FH29C2XN
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX40-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5M13I7N
Intel