maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE85639-T1-A
Référence fabricant | NE85639-T1-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE85639-T1-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE85639-T1-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 9GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 13dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639-T1-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE85639-T1-A-FT |
BFU550XRR
NXP USA Inc.
BFU550XRVL
NXP USA Inc.
BFP182RE7764HTSA1
Infineon Technologies
BFG310/XR,215
NXP USA Inc.
BFG325/XR,215
NXP USA Inc.
BFG520/XR,215
NXP USA Inc.
BFG520/XR,235
NXP USA Inc.
BFG540/XR,215
NXP USA Inc.
NE68039R-T1
CEL
NE68039R-T1-A
CEL
XCV50-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FGG320C
Xilinx Inc.
EP2C20AF484I8N
Intel
5SGXEB9R3H43C4N
Intel
XC7VX485T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6N
Intel