maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE68730-T1
Référence fabricant | NE68730-T1 |
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Numéro de pièce future | FT-NE68730-T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE68730-T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3V |
Fréquence - Transition | 11GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz |
Gain | - |
Puissance - Max | 90mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 20mA, 2V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE68730-T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE68730-T1-FT |
BFR93AE6327HTSA1
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KST10MTF
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BFR182E6327HTSA1
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MMBTH10-TP
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BF771E6327HTSA1
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BFR35APE6327HTSA1
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XC2S150-5FG256C
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A42MX16-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K400CF672C9
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5CGXFC5C6F27C6N
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5AGXBA1D6F27C6N
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XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
Intel