maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE68139-A
Référence fabricant | NE68139-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE68139-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE68139-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 9GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gain | 13.5dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 65mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE68139-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE68139-A-FT |
BFS 483 E6327
Infineon Technologies
BFS17SE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFU520XRR
NXP USA Inc.
BFU520XRVL
NXP USA Inc.
BFU530XRR
NXP USA Inc.
BFU530XRVL
NXP USA Inc.
BFU550XRR
NXP USA Inc.
BFU550XRVL
NXP USA Inc.
BFP182RE7764HTSA1
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BFG310/XR,215
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XC7S75-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
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EP2A40F672C9
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LFE3-17EA-7MG328C
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LFE2M20E-6F256I
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