maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE68133-T1B-R33-A
Référence fabricant | NE68133-T1B-R33-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE68133-T1B-R33-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE68133-T1B-R33-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 9GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gain | 13dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 65mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE68133-T1B-R33-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE68133-T1B-R33-A-FT |
MBC13900T1
NXP USA Inc.
NE52418-A
CEL
NE52418-T1-A
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NE67718-A
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NE68018-A
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CEL
NE68118-A
CEL
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel