maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE662M04-T2-A
Référence fabricant | NE662M04-T2-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE662M04-T2-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE662M04-T2-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3.3V |
Fréquence - Transition | 25GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 2GHz |
Gain | 18dB |
Puissance - Max | 115mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 2V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-343F |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-343F |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE662M04-T2-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE662M04-T2-A-FT |
2SC48350RL
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XC6SLX100T-3CSG484C
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XA3S1200E-4FTG256I
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XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
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M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-1XN
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5SGXEB6R3F40I4N
Intel
10AX027E2F27E2LG
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Lattice Semiconductor Corporation