maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / NE651R479A-A
Référence fabricant | NE651R479A-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE651R479A-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE651R479A-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | HFET |
La fréquence | 1.9GHz |
Gain | 12dB |
Tension - Test | 3.5V |
Note actuelle | 1A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 50mA |
Puissance - sortie | 27dBm |
Tension - nominale | 8V |
Paquet / caisse | 4-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | 79A |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE651R479A-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE651R479A-A-FT |
MRF6S19100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S9125NR1
NXP USA Inc.
MRF6V2300NR1
NXP USA Inc.
MRF6V2300NR5
NXP USA Inc.
MRF6V3090NR5
NXP USA Inc.
MRF6V4300NR1
NXP USA Inc.
MRF6V4300NR5
NXP USA Inc.
MRF7S19100NR1
NXP USA Inc.
AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC7S6-1CSGA225I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG896
Microsemi Corporation
LFXP10C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel
EPF10K10QC208-4N
Intel