maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / NE5550779A-A
Référence fabricant | NE5550779A-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE5550779A-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE5550779A-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 900MHz |
Gain | 22dB |
Tension - Test | 7.5V |
Note actuelle | 2.1A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 140mA |
Puissance - sortie | 38.5dBm |
Tension - nominale | 30V |
Paquet / caisse | 4-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | 79A |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE5550779A-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE5550779A-A-FT |
MRF5S9100NR1
NXP USA Inc.
MRF5S9101MR1
NXP USA Inc.
MRF5S9101NR1
NXP USA Inc.
MRF6S18060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S18100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S19060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S9125NR1
NXP USA Inc.
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
EP4CE75F23C9LN
Intel
EP3SL340F1517I4L
Intel
A54SX32A-2BG329
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31I5N
Intel