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Référence fabricant | NE5517DR2 |
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Numéro de pièce future | FT-NE5517DR2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE5517DR2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type d'amplificateur | Transconductance |
Nombre de circuits | 2 |
Le type de sortie | Push-Pull |
Vitesse de balayage | 50V/µs |
Produit gain de bande passante | 2MHz |
-3db Bande Passante | - |
Courant - Biais d'entrée | 400nA |
Tension - décalage d'entrée | 400µV |
Offre actuelle | 2.6mA |
Courant - Sortie / Canal | 650µA |
Tension - Alimentation simple / double (±) | 4V ~ 44V, ±2V ~ 22V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE5517DR2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE5517DR2-FT |
ISL28273FAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28274FAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL28274FAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28276IAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL28276IAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28278FAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL28278FAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28476FAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL28476FAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28478FAZ
Renesas Electronics America Inc.
XC6SLX150T-2FGG676C
Xilinx Inc.
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG256I
Microsemi Corporation
EP2C20F484I8N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
LFE3-70E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29C7
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel
5SGSMD4H3F35C2N
Intel
EP2S60F1020C4N
Intel