maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE461M02-T1-QR-AZ
Référence fabricant | NE461M02-T1-QR-AZ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NE461M02-T1-QR-AZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE461M02-T1-QR-AZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz |
Gain | 8.3dB |
Puissance - Max | 2W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 250mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE461M02-T1-QR-AZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE461M02-T1-QR-AZ-FT |
MS1006
Microsemi Corporation
MS1007
Microsemi Corporation
MS1008
Microsemi Corporation
MS1014
Microsemi Corporation
MS1015D
Microsemi Corporation
MS1019
Microsemi Corporation
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU040-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
LAE3-35EA-6LFTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG100
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation