maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE461M02-T1-QR-AZ
Référence fabricant | NE461M02-T1-QR-AZ |
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Numéro de pièce future | FT-NE461M02-T1-QR-AZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE461M02-T1-QR-AZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz |
Gain | 8.3dB |
Puissance - Max | 2W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 250mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE461M02-T1-QR-AZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE461M02-T1-QR-AZ-FT |
MS1006
Microsemi Corporation
MS1007
Microsemi Corporation
MS1008
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MS1030
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A42MX16-PQG208
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XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
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