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ON Semiconductor NDT01N60T1G

Name: NDT01N60T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDT01N60T1G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (304 reviews)

Numéro de pièce MFG: NDT01N60T1G

quantité disponible: 89780 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NDT01N60T1G.pdf

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NDT01N60T1G Caractéristiques

Référence fabricant	NDT01N60T1G
Numéro de pièce future	FT-NDT01N60T1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NDT01N60T1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	400mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-223 (TO-261)
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDT01N60T1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NDT01N60T1G-FT

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