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ON Semiconductor NDPL100N10BG

Numéro de pièce MFG
NDPL100N10BG
quantité disponible
25970 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NDPL100N10BG Caractéristiques

Référence fabricant NDPL100N10BG
Numéro de pièce future FT-NDPL100N10BG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NDPL100N10BG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 110W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDPL100N10BG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NDPL100N10BG-FT

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