maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NDD05N50Z-1G
Référence fabricant | NDD05N50Z-1G |
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Numéro de pièce future | FT-NDD05N50Z-1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NDD05N50Z-1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDD05N50Z-1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NDD05N50Z-1G-FT |
NTLUS3A39PZTAG
ON Semiconductor
NTLUS3A39PZTBG
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XC5VLX30-1FF676I
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AGL600V2-FG144
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LCMXO2-7000HC-6BG256C
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LFXP2-8E-5MN132C
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5AGXMA1D4F31I3N
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