maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / ND410635
Référence fabricant | ND410635 |
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Numéro de pièce future | FT-ND410635 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ND410635 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 350A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 1000A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30mA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | POW-R-BLOK™ Module |
Package d'appareils du fournisseur | POW-R-BLOK™ Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ND410635 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ND410635-FT |
PN411211
Powerex Inc.
PN411411
Powerex Inc.
PN411611
Powerex Inc.
PN411811
Powerex Inc.
PN412011
Powerex Inc.
PN412211
Powerex Inc.
PN412411
Powerex Inc.
PN412611
Powerex Inc.
PN413610
Powerex Inc.
PN413810
Powerex Inc.
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel