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Référence fabricant | NCV5230DR2G |
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Numéro de pièce future | FT-NCV5230DR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
NCV5230DR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type d'amplificateur | General Purpose |
Nombre de circuits | 1 |
Le type de sortie | Rail-to-Rail |
Vitesse de balayage | 0.25V/µs |
Produit gain de bande passante | 600kHz |
-3db Bande Passante | - |
Courant - Biais d'entrée | 40nA |
Tension - décalage d'entrée | 400µV |
Offre actuelle | 1.1mA |
Courant - Sortie / Canal | 32mA |
Tension - Alimentation simple / double (±) | 1.8V ~ 15V, ±0.9V ~ 7.5V |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NCV5230DR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NCV5230DR2G-FT |
NCS20082DMR2G
ON Semiconductor
NCS20092DMR2G
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NCV2904DMR2G
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LFXP3E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FGG484I
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LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27C8N
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EP3SL50F484I4LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEA9K2H40I3LN
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation