maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Linéaire - Amplificateurs - Instrumentation, ampli / NCV20092DR2G
Référence fabricant | NCV20092DR2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NCV20092DR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
NCV20092DR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type d'amplificateur | General Purpose |
Nombre de circuits | 2 |
Le type de sortie | Rail-to-Rail |
Vitesse de balayage | 0.17V/µs |
Produit gain de bande passante | 350kHz |
-3db Bande Passante | - |
Courant - Biais d'entrée | 1pA |
Tension - décalage d'entrée | 500µV |
Offre actuelle | 23µA |
Courant - Sortie / Canal | 8.5mA |
Tension - Alimentation simple / double (±) | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NCV20092DR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NCV20092DR2G-FT |
NCV213RSQT2G
ON Semiconductor
NCV214RSQT2G
ON Semiconductor
NCS211RSQT2G
ON Semiconductor
NCS199A1SQT2G
ON Semiconductor
NCS199A2SQT2G
ON Semiconductor
NCS199A3SQT2G
ON Semiconductor
NCS210SQT2G
ON Semiconductor
NCS211SQT2G
ON Semiconductor
NCS213SQT2G
ON Semiconductor
NCS214SQT2G
ON Semiconductor
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC3S1500L-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
10CL010YM164C6G
Intel
10AX090N2F45I2SG
Intel
10AX115U2F45I2SGE2
Intel