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ON Semiconductor NCP81075DR2G

Numéro de pièce MFG
NCP81075DR2G
quantité disponible
28520 Pièces
Prix de référence
USD 0.8424
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
PMIC - Pilotes de porte
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NCP81075DR2G.pdf
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NCP81075DR2G Caractéristiques

Référence fabricant NCP81075DR2G
Numéro de pièce future FT-NCP81075DR2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NCP81075DR2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Configuration pilotée High-Side or Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de conducteurs 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 8.5V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Courant - sortie de crête (source, puits) 4A, 4A
Type d'entrée Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) 200V
Temps de montée / descente (type) 8ns, 7ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 140°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NCP81075DR2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NCP81075DR2G-FT

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