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Référence fabricant | NB3V8312CFAR2G |
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Numéro de pièce future | FT-NB3V8312CFAR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NB3V8312CFAR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Fanout Buffer (Distribution) |
Nombre de circuits | 1 |
Ratio - Entrée: Sortie | 1:12 |
Différentiel - Entrée: Sortie | No/No |
Contribution | LVCMOS, LVTTL |
Sortie | LVCMOS |
Fréquence - Max | 250MHz |
Tension - Alimentation | 1.6V ~ 3.465V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 32-LQFP |
Package d'appareils du fournisseur | 32-LQFP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NB3V8312CFAR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NB3V8312CFAR2G-FT |
ICS93718CFLFT
IDT, Integrated Device Technology Inc
PI6C180BVE
Diodes Incorporated
PI6C180BVEX
Diodes Incorporated
PI6C180VE
Diodes Incorporated
PI6C180VEX
Diodes Incorporated
SI53302-B-GM
Silicon Labs
SI53313-B-GM
Silicon Labs
SI53305-B-GM
Silicon Labs
SI53302-B-GMR
Silicon Labs
SI53302-B00005-GM
Silicon Labs
A1010B-2VQG80I
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7N
Intel
5SGSED6N1F45C2L
Intel
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
AFS1500-FGG676I
Microsemi Corporation
EP4SGX530HH35C3
Intel