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Référence fabricant | NAND512R3A2SZA6F |
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Numéro de pièce future | FT-NAND512R3A2SZA6F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND512R3A2SZA6F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50ns |
Temps d'accès | 50ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2SZA6F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND512R3A2SZA6F-FT |
N25Q064A13ESEDFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEH0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42EE01
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW74ME
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7D0F TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel