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Référence fabricant | NAND512R3A2SZA6E |
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Numéro de pièce future | FT-NAND512R3A2SZA6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND512R3A2SZA6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50ns |
Temps d'accès | 50ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2SZA6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND512R3A2SZA6E-FT |
N25Q064A13ESED0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEDFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEH0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42EE01
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW74ME
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel