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Référence fabricant | NAND08GAH0BZA5E |
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Numéro de pièce future | FT-NAND08GAH0BZA5E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND08GAH0BZA5E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 8Gb (1G x 8) |
Fréquence d'horloge | 52MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | MMC |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 169-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 169-LFBGA (12x16) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND08GAH0BZA5E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND08GAH0BZA5E-FT |
R1LV0108ESF-5SR#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-5SR#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#B0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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RMLV0816BGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics America
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
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EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
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Lattice Semiconductor Corporation
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