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Référence fabricant | NAND02GR3B2DZA6E |
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Numéro de pièce future | FT-NAND02GR3B2DZA6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND02GR3B2DZA6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9.5x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND02GR3B2DZA6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND02GR3B2DZA6E-FT |
R1LP0108ESA-5SI#S0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
R1LP0108ESF-5SI#S1
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M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
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5CGXFC4F6M11C7N
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XC4VFX60-10FF672C
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LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel