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Référence fabricant | N57M5114ZD50TG |
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Numéro de pièce future | FT-N57M5114ZD50TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N57M5114ZD50TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Cône | Linear |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 1 |
Nombre de robinets | 32 |
Résistance (Ohms) | 50k |
Interface | Up/Down (U/D, INC, CS) |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 6V |
Caractéristiques | - |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 300 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 150 |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N57M5114ZD50TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N57M5114ZD50TG-FT |
ISL23418WFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710UIU10Z
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710UIU10Z-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710WIU10Z
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710WIU10Z-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL23711UIU10Z
Renesas Electronics America Inc.
ISL23711UIU10Z-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL23711WIU10Z-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL95311UIU10Z
Renesas Electronics America Inc.
ISL95311UIU10Z-TK
Renesas Electronics America Inc.
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
M2GL010-1FGG484
Microsemi Corporation
EP3SL200H780I4L
Intel
5SEEBF45C2L
Intel
5SGXEA5N2F45C1N
Intel
EP4SE820H35C3
Intel
EP20K600CB652C8
Intel