maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / N25Q128A11EF740E
Référence fabricant | N25Q128A11EF740E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-N25Q128A11EF740E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N25Q128A11EF740E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 128Mb (32M x 4) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q128A11EF740E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N25Q128A11EF740E-FT |
MTFC8GAMALBH-AAT ES TR
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALBH-AIT ES
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALBH-AIT ES TR
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALNA-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALNA-AAT ES
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALNA-AAT ES TR
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALNA-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALNA-AIT
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALNA-AIT ES
Micron Technology Inc.
MTFC8GAMALNA-AIT ES TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel