maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / N25Q064A11ESE40F TR
Référence fabricant | N25Q064A11ESE40F TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-N25Q064A11ESE40F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N25Q064A11ESE40F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (16M x 4) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q064A11ESE40F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N25Q064A11ESE40F TR-FT |
M25P80-VMN6PBA
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6G
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6TGBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6P
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel