maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / N25Q008A11EF640E
Référence fabricant | N25Q008A11EF640E |
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Numéro de pièce future | FT-N25Q008A11EF640E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N25Q008A11EF640E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q008A11EF640E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N25Q008A11EF640E-FT |
MTFC4GLUDM-AIT
Micron Technology Inc.
MTFC4GLUDM-AIT TR
Micron Technology Inc.
MTFC4GLYAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC4GLYAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC4GMDEA-4M IT TR
Micron Technology Inc.
MTFC4GMDEA-R1 IT
Micron Technology Inc.
MTFC4GMDEA-R1 IT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAECE-5M AIT
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAECE-5M AIT TR
Micron Technology Inc.
MTFC64GAJAEDN-5M AIT
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel