maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXSMLJ9.0AE3
Référence fabricant | MXSMLJ9.0AE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MXSMLJ9.0AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXSMLJ9.0AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 9V |
Tension - Panne (Min) | 10V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 15.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 194.8A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXSMLJ9.0AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXSMLJ9.0AE3-FT |
MXSMLJ14A
Microsemi Corporation
MXSMLJ14AE3
Microsemi Corporation
MXSMLJ14CA
Microsemi Corporation
MXSMLJ14CAE3
Microsemi Corporation
MXSMLJ150A
Microsemi Corporation
MXSMLJ150AE3
Microsemi Corporation
MXSMLJ150CA
Microsemi Corporation
MXSMLJ15AE3
Microsemi Corporation
MXSMLJ160A
Microsemi Corporation
MXSMLJ160AE3
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel