maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXSMLJ33CAE3
Référence fabricant | MXSMLJ33CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MXSMLJ33CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXSMLJ33CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 33V |
Tension - Panne (Min) | 36.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 53.3V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 56.2A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXSMLJ33CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXSMLJ33CAE3-FT |
MXSMCJLCE40A
Microsemi Corporation
MXSMCJLCE40AE3
Microsemi Corporation
MXSMCJLCE43A
Microsemi Corporation
MXSMCJLCE43AE3
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MXSMCJLCE45A
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MXSMCJLCE45AE3
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
MXSMCJLCE48AE3
Microsemi Corporation
MXSMCJLCE51A
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MXSMCJLCE51AE3
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R2F40C2LN
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EP4SGX530KF43C4N
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EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
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LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation