maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXSMCJLCE10AE3
Référence fabricant | MXSMCJLCE10AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MXSMCJLCE10AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXSMCJLCE10AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 88A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 100pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMCJ) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXSMCJLCE10AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXSMCJLCE10AE3-FT |
MXSMCJ170AE3
Microsemi Corporation
MXSMCJ170CA
Microsemi Corporation
MXSMCJ170CAE3
Microsemi Corporation
MXSMCJ17A
Microsemi Corporation
MXSMCJ17AE3
Microsemi Corporation
MXSMCJ17CA
Microsemi Corporation
MXSMCJ17CAE3
Microsemi Corporation
MXSMCJ18A
Microsemi Corporation
MXSMCJ18AE3
Microsemi Corporation
MXSMCJ18CA
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
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APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
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EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel