maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXLSMLJ8.5AE3
Référence fabricant | MXLSMLJ8.5AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MXLSMLJ8.5AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMLJ8.5AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8.5V |
Tension - Panne (Min) | 9.44V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 208.4A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMLJ8.5AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXLSMLJ8.5AE3-FT |
MXLSMLJ16CAE3
Microsemi Corporation
MXLSMLJ170A
Microsemi Corporation
MXLSMLJ170AE3
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Microsemi Corporation
MXLSMLJ18AE3
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
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5SGXMA9N1F45C2LN
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5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
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XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
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EP1S80F1020C7N
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