maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXLSMLJ12AE3
Référence fabricant | MXLSMLJ12AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MXLSMLJ12AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMLJ12AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V |
Tension - Panne (Min) | 13.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 19.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 150.6A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMLJ12AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXLSMLJ12AE3-FT |
MXLSMCJ9.0AE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJ9.0CA
Microsemi Corporation
MXLSMCJ9.0CAE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJLCE100A
Microsemi Corporation
MXLSMCJLCE100AE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJLCE10A
Microsemi Corporation
MXLSMCJLCE10AE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJLCE110A
Microsemi Corporation
MXLSMCJLCE110AE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJLCE11A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel