maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXLSMLJ11AE3
Référence fabricant | MXLSMLJ11AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MXLSMLJ11AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMLJ11AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11V |
Tension - Panne (Min) | 12.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 18.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 164.8A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMLJ11AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXLSMLJ11AE3-FT |
MXLSMCJ8.0A
Microsemi Corporation
MXLSMCJ8.0AE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJ8.0CAE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJ8.5A
Microsemi Corporation
MXLSMCJ8.5AE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJ8.5CA
Microsemi Corporation
MXLSMCJ8.5CAE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJ9.0A
Microsemi Corporation
MXLSMCJ9.0AE3
Microsemi Corporation
MXLSMCJ9.0CA
Microsemi Corporation
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel