maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXLSMBJ18AE3
Référence fabricant | MXLSMBJ18AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MXLSMBJ18AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMBJ18AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 18V |
Tension - Panne (Min) | 20V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 29.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 20.5A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMBJ18AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXLSMBJ18AE3-FT |
MSMBJ2K3.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.0E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.3E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.0E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.5
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.5E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K5.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K5.0E3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel