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Référence fabricant | MX25L8006EM2I-12G |
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Numéro de pièce future | FT-MX25L8006EM2I-12G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MX25xxx05/06 |
MX25L8006EM2I-12G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | 86MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50µs, 3ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L8006EM2I-12G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MX25L8006EM2I-12G-FT |
W25Q64JVSSIM TR
Winbond Electronics
W25Q16FWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q80DVSSIG
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIG
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W25Q128FWSIG
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W25Q64JVSSIQ TR
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W25Q80EWSSIG
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W25Q128FWSIG TR
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W25Q16FWSSIQ TR
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W25Q16JVSSIQ TR
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XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
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EPF10K100EBC356-2
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